SAMSUNG 3 Nanometre Çipler Üretecek !

Güney Kore firması Samsung 2012’de yeni tip transistörlü GAAFET (gate-all-around FET) 3 nanometre çiplerini seri üretime sokma planını açıkladı.

GAAFET

GAAFET teknolojisi 2000’li yılların başından itibaren Samsung ve diğer firmalar tarafından geliştirilmekte. Bu yeni mimari sayesinde FinFET’in (fin field-effect transistor) kısıtlamalarını aşmaya imkan verilmekte. GAAFET transistörlerinde kanallar, yatay veya dikey olarak konumlandırılmış yuvarlak nano-teller şeklinde düzenlenmekte. Bu şekilde geçit kanalın çevresini her yönden sarıyor ve tek bir transistörün birçok kanalı kullanma imkanına sahip olmasını sağlıyor. Bir karşılaştırma yapmak gerekirse FinFET kanalın 3 kısmını kapatabilmekte. Kanalın etrafındaki geçitin konumu potansiyel voltaj kayıplarını azaltıp, transistör verimini arttırmakta. Düşük voltaj gerilimi sayesinde enerji tüketimi de azalmakta.

GAAFET 2

GAAFET BEKLENENDEN ÖNCE ÇIKACAK

Samsung geçen yıl GAAFET transistörlü 4 nanometre çipleri 2020 yılında kullanmayı planladığını duyurmuştu. Sektörün saygıdeğer uzmanlarından Gartner’den Samuel Wang 2022’den önce GAAFET çıkışına şüphe ile bakmaktaydı. Fakat şuan Wang, bu teknolojinin beklenenden daha önce çıkmasının muhtemel olduğunu belirtmekte.

GAAFET 3

NVIDIA DA BU TEKNOLOJİ İLE İLGİLENMEKTE

Ek olarak, Samsung EUV(morötesi/ultraviyolet) üzerine dayanan 7 nanometre’lik teknolojileri tanıtımlarına öncülük yapmakta. Şirket 2018 yılı sonunda 7 nanomete EUV için deneme üretimine başlamıştı.  Seri üretimin ise 2019 ortasına doğru gerçekleşmesi beklenmekte. Kesinleşmemiş bilgilere göre NVIDIA yeni nesil grafik yongaları için bu yeni teknolojiyle ciddi bir şekilde ilgilenmekte.

Ana Sayfa’ya Dönmek İçin Tıklayınız…
Youtube Kanalımıza Gitmek İçin Tıklayınız…

Bir Cevap Yazın